| 8406202 9216 1210 912 1равляющим р-и-переходом (см. Электронно-дырочный переход) или переходом металл-полупроводник (т. н. барьером Шотки, см. Шотки эффект), вторую - П. т. с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл-диэлектрик - полупроводник). В последних в качестве диэлектрика используют окисел кремния (МОП-транзистор) или слоистые структуры, напр. SiO2-А12О3 (МАОП-транзистор), SiO2 - Si3N4 (МНОП-транзистор) и др. К П. т. с изолированным затвором относят также П. т. с т. н. плавающим затвором и П. т. с накоплением заряда в изолированном затворе (их применяют как элементы электронной памяти). В П. т. в качестве полупроводника используют в основном Si и GaAs, в качестве металлов, образующих переход,- Al, Mo, Au. П. т. созданы в 50-70-е гг. 20 в. на основе работ амер. учёных У. Шокли, С. Мида, Д. Канга, М. Аталлы и др.
[2012-2.jpg]
Схематическое изображение полевых транзисторов с управляющим р-п-пере-ходом (а), с управляющим переходом металл - полупроводник (б), с изолированным затвором (в) и их переходные характеристик ки: 1 - затвор; 2 - область канала; 3 - область пространственного заряда; 4 - исток; 5 - сток; 6 - диэлектрик; 7 - полупроводник с проводимостью р-типа; 8 - полупроводник с проводимостью n-типа; Iс - ток стока; Ес - постоянное напряжение источника тока в цепи стока; U3 - напряжение затвора; (UОТ - напряжение отсечки; ес - напряжение усиливаемого сигнала; Е3 - напряжение начального смещения рабочей точки; RН - сопротивление нагрузки; зачернены области металлических покрытий; стрелками (в канальной области) показано направление движения электронов.
В П. т. 1-й группы (рис., а и б) управляющим электродом (затвором) служит полупроводниковый или металлич. электрод, образующий с полупроводником канальной области р-n-переход или переход металл-полупроводник. На затвор подаётся напряжение, уменьшающее ток, к-рый протекает от истока к стоку: при увеличении этого напряжения область пространств, заряда перехода (обеднённая носителями заряда) распространяется в канальную область и уменьшает проводящее сечение канала. При нек-ром значении напряжения затвора, т. н. напряжении отсечки Uот, ток в приборе прекращается.
В П. т. с изолированным затвором (рис., в) управляющий металлич. электрод отделён от канальной области тонким слоем диэлектрика (0,05-0,20 мкм). Канал может быть либо образован тех-нологич. способом (встроенный канал), либо создан напряжением, подаваемым на затвор в рабочем режиме (индуцированный канал). В зависимости от этого прибор имеет передаточную характеристику соответственно вида I или II (см. рис., в).
П. т. широко применяют в электронной аппаратуре для усиления электрич. сигналов по мощности и напряжению. П. т.- твердотельные аналоги электронных ламп, они характеризуются аналогичной системой параметров - крутизной характеристики (0,1-400 ма/в), напряжением отсечки (0,5-20 в), входным сопротивлением по постоянному току (1011-1016ом) и т. д.
П. т. с управляющим р-и-переходом обладают наиболее низким среди полупроводниковых приборов уровнем шумов (являющихся в основном тепловыми шумами) в широком диапазоне частот -от инфранизких до СВЧ (коэфф. шума лучших П. т. <0,1 дб на частоте 10 гц и ~ 2 дб на частоте 400 Мгц). Мощность рассеяния П. т. такого типа может достигать неск. десятков вт. Их осн. недостаток - относительно высокая проходная ёмкость, требующая нейтрализации её при большом усилении. В П. т. с переходом металл-полупроводник достигнуты наиболее высокие рабочие частоты (макс, частота усиления по мощности лучших П. т. на арсениде галлия > 40 Ггц). П. т. с изолированным затвором обладают высоким входным сопротивлением по постоянному току (до 1016ом, что на 2-3 порядка выше, чем у др. П. т., и сравнимо с входным сопротивлением лучших электрометрических ламп). В области СВЧ усиление и уровень шумов у этих П. т. такие же, как и у биполярных транзисторов (предельная частота усиления по мощности ок. 10 Ггц, коэфф. шума на частоте 2 Ггц ок. 3,5 дб и динамич. диапазон > 100 дб), однако они превосходят последние по параметрам избирательности и помехоустойчивости (благодаря строгой квадратичности передаточной характеристики). Относит, простота изготовления (по планарной технологии) и схемные особенности построения позволили использовать их в больших интегральных схемах (БИС) устройств вычислит, техники (напр., созданы БИС, содержащие > 10 тыс. МДП-транзисторов в одном кристалле). Лит.: Малин Б. В., Сонин М. С., Параметры и свойства полевых транзисторов, М., 1967; Полевые транзисторы, пер. с англ., М., 1971; Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973. В. К. Невежин, О. В. Сопов.
ПОЛЕВОЙ ШТАБ РЕВВОЕНСОВЕТА РЕСПУБЛИКИ, высший оперативный орган Главного командования Красной Армии в годы Гражданской войны 1918-20. Образован 6 сент. 1918 вместо расформированного штаба Высшего воен. совета. Первоначально наз. Штабом РВСР, 8 нояб. 1918 переименован в П. ш. РВСР, 10 февр. 1921 слит с Всероглавштабом в единый Штаб РККА. П. ш. РВСР состоял из управлений: оперативного, административно-учётного, регистрационного, центр, управления воен. сообщений, полевого управления авиации, управлений инспекторов пехоты, кавалерии (с 1919), артиллерии, инженеров к бронечастей (с 1920), военно-хозяйственного и военно-санитарного. Нач. П. ш. РВСР были: Н. И. Раттэль (6.9.-21.10.1918), Ф. В. Костяев (21.10. 1918-18.6.1919), М. Д. Бонч-Бруевич (18.6.-22.7.1919), П. П. Лебедев (22.7. 1919-10.2.1921), воен. комиссарами: В. Г. Шарманов и К. Ф. Фоминов (7.9.-24.10.1918), С. И. Аралов (24.10. 1918-15.6.1919), С. И. Гусев (15.6. 1919-4.12.1919), Д. И. Курский (4-12. 1919-7.9.1920), К. X. Данишевский (7.9.1920-10.2.1921).
ПОЛЕВСКОЙ, город областного подчинения в Свердловской обл. РСФСР. Расположен в 8 км от ж.-д. ст. Полев-ской (на линии Свердловск - Челябинск), в 50 км к Ю.-З. от Свердловска. 60 тыс. жит. в 1974 (в 1939 было 25 тыс. жит.). Возник в 1-й четв. 18 в. Развита металлургич. и химия, проы-сть. Север-ский трубный з-д выпускает трубы, качеств, сталь и лужёную жесть. Имеются з-ды: криолитовый, машиностроит., мраморных изделий, железобетонных изделий и др. В юж. части города Думная гора, на к-рой установлен памятник героям Гражданской войны 1918-20, павшим в боях с Колчаком. С Думной горой и окрестностями П. связаны многие сказы П. П. Бажова.
ПОЛЕВЫЕ УСТАВЫ, в Вооруж. Силах СССР официальные документы, определяющие осн. положения и требования подготовки и ведения соединениями и частями общевойскового боя, передвижения и расположения на месте войск в различных условиях боевой обстановки, управления войсками. П. у. служат руководством при разработке боевых уставов и наставлений видов вооруж. сил, родов войск и специальных войск. П. у. существуют в вооруж. силах различных гос-в; в нек-рых армиях они имеют др. названия. В рус. армии П. у. издавались в 1881, 1904, 1912. Первый П. у. Красной Армии был утверждён ВЦИК в янв. 1919. В июне 1925 вышел в свет Временный полевой устав РККА, часть 2-я (дивизия - корпус); в 1929 он был заменён Полевым уставом РККА (ПУ-29), к-рый, помимо дивизии и корпуса, охватывал также полк и имел главу о поли-тич. работе. 30 дек. 1936 введён в действие Временный полевой устав РККА (ПУ-36), чётко определивший роль и место родов войск в бою и операции. Его осн. положения учитывали значит, изменения в технич. оснащённости и организации всех видов и родов войск, достигнутые в 30-х гг. В 1939 и в 1941 были изданы проекты П. у. В кон. 1942 был издан проект П. у., разработанный с учётом опыта ведения боевых действий, полученного в 1-й период Великой Отечественной войны 1941-45. После войны были введены в действие новые уставы, разработанные на основе опыта войны и развития новых видов оружия и боевой техники. и. П. Лябик.
ПОЛЕВЫЕ ШПАТЫ, группа наиболее распространённых породообразующих минералов, составляющих более 50 % земных и лунных горных пород и входящих в метеориты. Состав П. ш. определяется в основном соотношением компонентов в тройной системе: NaAlSi3O8-KAlSi3O8-CaAl2Si2O8, т. е. это алюмосиликаты Na, К, Са (с примесью Ва, Sr, Рb, Fe, Li, Rb, Cs, Eu, Се и др.). Основой структуры всех П. ш. являются трёхмерный каркас, состоящий из тетраэдрических групп (Al,Si)O4, в к-рых от одной трети до половины атомов Si замещено А1. В крупных пустотах этого каркаса располагаются одновалентные катионы К+ и Na+ (при отношении Al : Si = l : 3) или двухвалентные катионы Са2+ и Ва2+ (при Al : Si = l : 2).
В группе П. ш. выделяются две серии твёрдых растворов: KAlSi3O8-NaAlSi3O8 (кали-натровые, или щелочные, П. ш. и NaAlSi3O0-CaAl2Si2O8 - плагиоклазы). Редко встречаются бариевые П. ш. BaAl2Si2O8-цельзиан и твёрдые растворы KAlSi3O0 - BaAl2Si2O8 - гиалофан (до 10-30% Ва).
Большое число разновидностей П. ш. обусловлено сложными соотношениями состава [главных компонентов (см. рис.) и примесей], упорядоченности распределения А1 и Si по структурным положениям, распада твёрдых растворов, суб-микроскопич. двойникования.
Среди существенно калиевых П. ш. различают санидин, имеющий моноклинную симметрию, с неупорядоченным распределением Si и А1, максимальный микроклин |
